М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1986. — 96 с. — (Проблемы науки и технического прогресса).
Изложены основные идеи физики дифракции рентгеновских лучей, направленные на создание методов анализа кристаллической структуры тончайших приповерхностных слоев и границ раздела кристаллов высокой степени совершенства, в первую очередь полупроводниковых кристаллов, являющихся основой современной микроэлектроники.