Александрова О.А., Сорокин В.С. Технология полупроводниковых материалов

Практикум. — СПб.: СПбГЭТУ ЛЭТИ, 2003. — 68 с. — ISBN: 5-7629-0557-8.Рассмотрены основные процессы и методики расчета технологических условий получения легированных полупроводниковых монокристаллов. Представлен комплекс лабораторных работ, основанный на моделировании процессов выращивания однородно легированных кристаллов и оценке влияния режимов роста на их электрофизические свойства. Предложены задачи для самостоятельного углубленного изучения дисциплины. Приведены справочные данные, необходимые для проведения расчетов.
Предназначен для студентов, обучающихся по направлению 654100 "Электроника и микроэлектроника" по специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" по курсу "Технология полупроводниковых материалов".Введение.
Краткое описание работы программ.
Лабораторные работы:
Легирование кристаллов при выращивании методом Чохральского.
Легирование кристаллов при выращивании методом Чохральского в случае летучей примеси.
Определение концентрации легирующих и остаточных примесей и расчет их распределения по длине кристалла.
Метод двойного капиллярного тигля.
Зонная плавка.
Приложение.
Список рекомендуемой литературы.