Киев, Наукова думка, 1975. - 704 с.
Описаны основные физические свойства и параметры элементарных полупроводников, полупроводниковых соединений, находящих широкое применение в полупроводниковой электронике. Систематизированы и рассмотрены структура энергетических зон, электрические, оптические, магнитные, гальвано- и термомагнитные свойства, влияние примесей и структурных дефектов на эти свойства и пр. Обобщен обширный материал по физическим процессам, происходящим в полупроводниках. Для физиков, химиков и инженеров, занимающихся технологией и изучением физических свойств полупроводников, а также создающих приборы на их основе, для преподавателей, студентов и аспирантов.
Предисловие
Элементарные полупроводники. Германий и кремнийОсновные физические и физико-химические постоянные
Кристаллическая структура
Степень совершенства кристаллической решетки
Динамика решетки
Тепловые свойства кристаллов
Диффузия в полупроводниках
Упругие свойства кристаллов
Тензорезистивный эффект или эффект пьезосопротивления
Основные представления о структуре энергетических зон в полупроводниковых кристаллах
Вырожденная и невырожденная статистика электронов в полупроводниках
Основные представления теории кинетических эффектов
Гальваномагнитные и термомагнитные явления
Термоэлектродвижущие силы и термоэлектрические явления
Неравновесные носители тока и неравновесная проводимость в полупроводниках
Контактные явления на границе металла с полупроводником
Рекомбинация носителей тока
Оптические свойства
Фотоэлектрические свойства
Магнитные свойства
Сверхпроводимость полупроводников
Люминесценция
Электронные явления на поверхности полупроводников
Основные физические и физико-химические характеристики Si, Те. Sе
Кремний (Si)
Твердый раствор Ge-Si
Теллур (Те)
Селен (Sе)
Литература
Полупроводниковые соединения типа АIIIВVКристаллическая структура
Дефекты кристаллической структуры
Поверхностные свойства и полярность решетки цинковой обманки
Поверхностные состояния
Химическая связь в соединениях А
IIIВ
VЗонная структура соединений А
IIIВ
VОптические свойства соединении А
IIIВ
VЛюминесценция, фото- и электролюминесценция
Явления переноса
Примеси
Термодинамические свойства
Диффузия
Термообработка и влияние облучения
Магнитная восприимчивость полупроводника
Упругие постоянные и коэффициенты расширения
Твердые растворы на основе соединений типа А
IIIВ
VПрименение бинарных соединений А
IIIВ
V в полупроводниковой электронике
Литература
Соединения типа АІІВVКристаллическая структура и характер химической связи соединении II и V групп
Стеклообразование в системе А
ІІВ
VЭлектрические и оптические свойства соединений типа A
II3B
V2Электрические и оптические свойства соединении типа A
IIB
V2Люминесценция CdP
2, ZnP
2Автоэлектронная эмиссия
Возможности практического применения соединений типа А
ІІВ
VЛитература
Соединения типа АIIВVIНекоторые свойства элементов, образующих соединения типа А
IIВ
VIОсновные физические и физико-химические постоянные соединений А
IIВ
VIДиаграммы состояния систем А
IIВ
VIКристаллическая структура
Фазы высокого давления в соединениях типа А
IIВ
VIХимическая связь в соединениях типа А
IIВ
VIДефекты кристаллической структуры
Объединение дефектов, радиационные дефекты и радиационная стойкость соединений А
IIВ
VIУпругие постоянные и характеристики динамики решетки соединений А
IIВ
VIТепловые свойства
Диффузия и растворимость
Структура энергетических зон соединений А
IIВ
VIОптические свойства
Излучательная рекомбинация в области края полосы поглощения
Литература
Тройные полупроводниковые соединенияТройные полупроводниковые соединения аналоги A
IIIB
VКристаллическая структура и основные физические и физико-химические постоянные соединений типа A
IIB
IVC
V2Зонная структура некоторых соединений A
IIB
IVC
V2Физические свойства некоторых соединений A
IIB
IVC
V2Некоторые параметры центров рекомбинации и прилипания
Спектры электроотражения
Спектры электроотражения CdSnP
2, CdSnAs
2Соединения типа A
IIB
IVC
V2Перспективы применения тройных соединений в полупроводниковой электронике
Литература
ПРИЛОЖЕНИЯ
Предметный указатель