Антонова И.В. Локализованные состояния в гетеросистемах на основе кремния, сформированные в деформационных полях

Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. — Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. — Новосибирск, 2009. — 328 с.Кремний является базовым материалом современной микроэлектроники. Развитие нанотехнологий сместило интерес от объемного материала к многослойным гетероструктурам на основе кремния. Наибольшее развитие получили такие типы гетероструктур как структуры кремний-на-изоляторе (КНИ), структуры с SiGe квантовыми ямами и диэлектрические слои с нанокристаллами кремния (nсSi-SiO 2). Исходно структуры КНИ возникли как материал для радиационно-стойких схем, а в дальнейшем они стали использоваться для увеличения рабочей частоты приборов, расширения интервала рабочих температур, уменьшения энергопотребления и др. Использование структур КНИ обеспечило настоящий прорыв в развитии наноэлектроники, создавая возможности реально производить транзисторы и схемы с длиной канала ~ 20 нм и менее. Высокая 4 подвижность носителей в напряженных слоях SiGe обеспечила гетероструктурам SiGe/Si важное место в современной электронике и кремниевой оптоэлектронике. Слои nсSi-SiO 2 рассматриваются как перспективный материал для разработки элементов памяти, светоизлучающих систем на основе кремния и одноэлектронных приборов, работающих при высоких температурах.