Четверикова И.Ф., Чукичев М.В., Храмцов А.П. Оптические свойства нитрида галлия. Часть 1

Москва: ЦНИИ "Электроника", 1982. — 60 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. Выпуск 8 (911)).Проанализированы теоретические и экспериментальные данные о процессах поглощения света в кристаллах нитрида галлия, выращенных различными методами. Приведены сведения о фононном спектре и электрон-фононном взаимодействии в нитриде галлия.
Рассмотрены возможные механизм излучательной рекомбинации как в нелегированных, так и в легированных различными примесям кристаллах.
Обсуждено влияние экситон-экситонного взаимодействия на процессы излучательной рекомбинации при высоких уровнях возбуждения и особенности возникновения стимулированного излучения.
Приведены данные по электролюминесценции на различных структурах из нитрида галлия и анализируются возможности создания эффективных излучателей на его основе.
Обзор составлен по материалам отечественных и зарубежных источников за 1972-1981 гг.
Для инженеров и научных работников, преподавателей, аспирантов и студентов.Введение.Методы получения и физико-химические свойства нитрида галлия.
Получение гетероэпитаксиальных слоев.
Кристаллографические и термодинамические характеристики.
Электрофизические свойства.Спектры отражения и поглощения нитрида галлия.
Зонная структура и спектры отражения при hw > E_g.
Структура энергетических зон в центре зоны Бриллюэна при К=0.
Зависимость ширины запрещенной зоны от температуры и давления.
Спектры поглощения.Фото- и катодолюминесценция нелегированного нитрида галлия.
Эпитаксиальные слои.
Нитевидные кристаллы и порошки.
Слои с большой концентрацией и малой подвижностью.
Большие уровни возбуждения.Заключение.
Литература.
Приложение.