Закис Ю. и др. (ред.). Физика и химия стеклообразующих систем. Вып.7

Сборник научных трудов. Редакционная коллегия: Ю.Закис, А.Шендрик, А.Лусис, И.Миллере, А.Силинь, Ю.Эйдук. Рига: Латвийский государственный университет им. П.Стучки, 1980. — 184 с. (Межвузовский сборник научных трудов).
В cедьмом выпуске сборника публикуются работы сотрудников НИИ физики твердого тела Латвийского государственного университета им. П. Стучки, кафедры технологии силикатов Рижского политехнического института по исследованию оксидных стеклообразующих материалов (силикатов, фосфатов, вольфpаматов и др.). Представлены результаты изучения общих свойств и структуры дефектов в стеклах, простейших дефектов в двуокиси кремния, неупорядоченности структуры стекол по свойствам парамагнитных центров стеклообразованию в трехкомпонентных системах на основе силикатов, боратов и фосфатов, электрических свойств пленок SiO₂ на кремнии и эпитаксиальному росту пленок WO₃. Сборник предназначен для научных работников, аспирантов, студентов старших курсов и инженеров, интересующихся вопросами физики и химии некристаллических твердых тел.Простейшие термические дефекты в стеклах (Ю.Р.Закис).
Неупорядоченность структуры стекла: исследования ЭПР Мn²⁺ в стеклах (Я.Г.Клява, Ю.Я.Пуранс).
Простейшие собственные радиационные дефекты в стеклообразном кремнеземе (А.Р.Силинь, Л.Н.Скуя).
Свойства центров немостикового атома кислорода в стеклообразном кремнеземе (Л.Н.Скуя).
Электронная структура и электронные процессы в SiO₂ (А.Н.Трухин).
Локализованные электронные возбуждения в чистых натриевосиликатных стеклах (А.Н.Трухин, М.Н.Толстой, Л.Б.Глебов, В.Л.Савельев).
Распределение заряда по толщине тонких пленок SiO₂ на кремнии (П.А.Пундур, Г.Э.Эркулис, В.Д.Даугуль).
Различные типы центров Мn²⁺ парамагнитный зонд для изучения структуры стекол и процессов кристаллизации (система СаО—P₂O₅—WO₃) (Я.Г.Клява, И.В.Миллере, Ю.Я.Пуранс).
Стекла системы МgО—Nd(РO₃)₃—SiР₂O₇ (Г.Х.Можинский, У.Я.Седмалис, Я.Я.Больший).
Стекла на основе системы CuO—В₂O₃—Р₂O₅ (Г.П.Седмале, У.Я.Седмалис).
Исследование стекол системы PbO—P₂O₅—SiO₂ (А.О.Калниня, С.Е.Лагздиня, У.Я.Седмалис).
Механизм роста эпитаксиальных слоев трехокиси вольфрама (A.A.Патмалниекс, A.A.Вейспалс, Г.О.Кимене, Г.М.Раманс).