Тимошин А.С. Технология объемных кристаллов полупроводников. Раздел: Получение легированных монокристаллов полупроводников

Методические указания для курсового и дипломного проектирования. — М.: МИСиС, 1984. — 40 с.Предназначены для студентов специальностей 0643 и 0604, выполняющих расчетные работы по курсам "Получение объемных кристаллов полупроводников" (специальность 0643) и "Физическая химия и технология полупроводников и материалов микроэлектроники (специальность 0604). Они также могут быть использованы при выполнении курсовых проектов и дипломных работ.Введение.
Получение однолегированных монокристаллов полупроводников методом Чохральского путем программирования параметров роста.
Выбор минимальной скорости вращения и максимально допустимой скорости вытягивания кристалла и порядок расчета параметров роста.
Блок-схема алгоритма расчета программируемых параметров роста на ЭВМ.
Программа для расчета варьируемых в процессе выращивания однолегированных монокристаллов параметров на алгоритмическом языке ФОРТРАН IV.
Практические указания.
Литература.