Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Антипов В.В., Розин К.М. Технология материалов и изделий электронной техники. Выращивание монокристаллов из расплавов. Лабораторный практикум

  • Файл формата pdf
  • размером 28,69 МБ
  • Добавлен пользователем
  • Описание отредактировано
Антипов В.В., Розин К.М. Технология материалов и изделий электронной техники. Выращивание монокристаллов из расплавов. Лабораторный практикум
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 2002. — 109 с.
Изложены важнейшие методы выращивания монокристаллов из расплава, их детальный анализ, основные требования к промышленному оборудованию, характеристики отдельных технологических операций. В большинстве работ используется современный математический аппарат, необходимый не только для описания разнообразных кристаллизационных процессов, но и для поиска путей повышения однородности выращиваемых кристаллов. В практикум включены также многие новейшие перспективные технологические разработки. Рассмотрены вопросы выбора методов выращивания, механизмы формирования ростовых дефектов, проблемы повышения однородности выращиваемых из расплава монокристаллических материалов и др. Лабораторный практикум предназначен для студентов специализации "Техническая физика" направления 553100. Соответствует Государственному образовательному стандарту программы "Физика кристаллов оптики и акустоэлектроники".
Введение.
Правила техники безопасности при выполнении лабораторных работ.
Лабораторные работы.
Приготовление и синтез шихты ниобата лития для выращивания монокристаллов методом Чохральского.
Метод термического анализа состава шихты ниобата лития.
Выращивание монокристаллов ниобата лития из расплава методом Чохральского.
Монодоменизация кристаллов танталата лития.
Формирование регулярной доменной структуры в кристаллах ниобата лития.
Выращивание монокристаллов методами вертикальной направленной кристаллизации в трубчатом контейнере.
Выращивание щелочно-галоидных монокристаллов методом Киропулоса.
Выращивание монокристаллов с использованием подвижного тигля.
Выращивание диэлектрических монокристаллов методом горизонтальной направленной кристаллизации.
Стабилизация скорости выращивания монокристаллов весовым методом.
Исследование влияния летучести компонентов шихты на однородность монокристаллов, выращенных из расплава.
Многократная кристаллизация как промышленный метод выращивания кристаллов.
  • Чтобы скачать этот файл зарегистрируйтесь и/или войдите на сайт используя форму сверху.
  • Регистрация