Мусатов М.И. Техника и технология выращивания сапфира методом ГОИ

СПб.: Научно-исследовательский и технологический институт оптического материаловедения ВНЦ ГОИ им. С.И. Вавилова, 2013. — 469 с.Излагаются физико-химические основы процессов выращивания кристаллов сапфира методом, разработанным автором. Приведены основные факторы, влияющие на рост кристаллов и их качество. Даны рекомендации по выбору сырьевых материалов, схеме установок и конкретным параметрам процесса. Детально описаны требования к материалам и характеристикам печей, нагревателей, тиглей и экранов. Обсуждаются результаты, полученные как в лабораторных, так и в промышленных условиях.
Книга предназначена для специалистов по росту кристаллов. Она будет также полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей. Основная часть этой работы выполнена автором в Государственном Оптическом Институте (ГОИ) России, г. Санкт-Петербург.Свойства сапфира.
Проблемы получения оптического сапфира.
Технологические операции.
Формирование дефектов в кристаллах сапфира.
Влияние температурных полей.
Качество кристаллов.
Взаимодействие материала тигля с расплавом.
Структура материала тигля.
Тигли из различных сплавов.
Конструкция печей типа «Гном».
Применение сапфира.
Литература.