Научное издание. — Пер. с англ. — М.: Мир, 1991. — 143 с.: ил. — ISBN 5-03-002101-9 (русск.), ISBN 3-540-18603-4 (англ.).
В монографии рассматриваются конвективные процессы при выращивании из расплавов полупроводниковых кристаллов методами Бриджмена, зонной плавки, Чохральского. На основе экспериментальных данных и численного моделирования уравнений Навье-Стокса изучается структура полей течений и температуры и выясняются причины макро- и микронеоднородвостей в распределении примесей, обусловленных тепловой гравитационной конвекцией. Книга содержит большое число иллюстраций, являющихся наглядной интерпретацией результатов технологических экспериментов. Обсуждаются практические мероприятия, позволяющие устранить причины образования дефектов макро- и микронеоднородностей.
Для научных работников, инженеров, аспирантов и студентов старших курсов в области технологии материалов, механики жидкости и газа, а также микроэлектроники.
Предисловие редактора перевода.
Дополнительная литература.
Предисловие к английскому изданию.
Предисловие к русскому изданию.
Обозначения.
Введение.
Основы моделирования процессов выращивания полупроводниковых кристалловИсторический обзор и общие замечания.
Математическое описание процессов выращивания кристаллов.
Гидродинамическое подобие. Безразмерные числа.
Моделирование как средство изучения гравитационной конвекции в методах выращивания кристаллов с вертикальной ориентацией.
Коэффициенты сегрегации, или распределения, примеси.
Макроскопические неоднородностиВведение.
Продольные неоднородности.
Поперечная сегрегация.
Исключение макроскопических неоднородностейВведение.
Продольная сегрегация.
Поперечные неоднородности.
Микроскопические неоднородностиВведение и обзор.
Причины возникновения микронеоднородностей.
Причины изменений скорости роста.
Нестационарная гравитационная конвекция как первопричина микронеоднородностейПостановка задачи.
Теория нестационарной конвекции.
Модельные эксперименты по нестационарной конвекции.
Проверка модели процесса образования полос роста в реальных условиях выращивания кристаллов.
Меры по предотвращению микронеоднородностей, вызываемых конвекциейВведение.
Изменения размеров расплава и его геометрических параметров.
Уменьшение градиента температуры.
Применение постоянных магнитных полей.
Условия, близкие к невесомости (космические эксперименты).
Увеличение критического числа Рэлея Racz путем перехода к более устойчивой структуре течения.
Заключительные соображения по поводу оптимизации методов выращивания кристаллов
Литература
Предметно-именной указатель